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键合铜丝的优点

       工艺就作为一种降低成本的方法应用于晶片上的铝焊区金属化。但在当时行业的标准封装形式为18~40个引线的塑料双列直插式封装(塑料DIP),其焊区间距为150~200μm , 焊球尺为100~125μm ,丝焊的长度很难超过3 mm。所以在大批量、高可靠的产品中,金丝球焊工艺要比铜丝球焊工艺更稳定更可靠。然而,随着微电子行业新工艺和新技术的出现及应用,当今对封装尺寸和型式都有更高、更新的要求。首先是要求键合丝更细,封装密度更高而成本更低。因此,铜键合丝又引起了人们的重视。无锡市霍尼科技采用新型工艺生产的单晶铜,利用专利工艺技术拉制成的键合铜丝完全解决了线径太小,容易氧化的问题。霍尼科技的单晶铜键合丝有如下特点:
       1、良好的力学性能:较高破断力和较好伸长率的丝更利于键合。
       2、优异的电学性能:封装材料的电学性能直接决定了芯片的性能指标,随着芯片频率不断提高,对封装中的导体材料的电性能提出了更高的要求。铜的电导率比金高出近40 % ,比铝高出近2 倍。
       3、出色的热学性能:键合铜丝的热学性能显著优于金和铝,因此能够以更细的焊丝直径达到更好的散热性能及更高的额定功率。随着芯片密度的提高和体积的缩小,芯片制造过程中的散热是设计和工艺考虑的一个重要内容。在常用封装材料中,铜比金和铝的传热性能都要好,被广泛地用于电子元器件的生产制造中。在对散热要求越来越高的高密度芯片封装工艺中,选取铜线来代替金线和铝线是非常有意义的。并且,铜的热膨胀系数比铝低,因而其焊点的热应力也较低,大大提高了器件的可靠性。
       4、性能稳定:铜键合丝金属间化合物生长速度慢铜丝与金丝焊点相比,铜线焊点中的金属间化合物( Intermetallic)生长速度显著减小。这就降低了电阻增加量,减小了产热,提高了器件的可靠性。


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